Infineon Technologies 射频解决方案Infineon射频解决方案采用具有高性能和高性价比的器件，提供用于众多应用的射频产品。射频解决方案包括晶体管、低噪声放大器、GPS/GLONASS/COMPASS LNA、开关、模块和调谐器。

射频晶体管

英飞凌射频晶体管提供卓越的性能，优越的信号质量和鲁棒性，同时具有成本效益。这些离散异质结双极晶体管(HBT)适合作为单、双频低噪声放大器(LNA)的解决方案。

BFx840x HBT地址双固定频率LNA解决方案，用于高性能WiFi®连接应用。晶体管采用80GHz fT硅锗碳化物(SiGe:C) B9HFM工艺。BFx840x采用专用的器件几何形状，降低了衬底与晶体管之间的寄生电容。

LTE低噪声放大器

英飞凌LTE低噪声放大器旨在优化移动蜂窝系统的灵敏度。这种优化扩展了LTE、UMTS、HSPA、HSPA+等数据流量的领域，提高了网络效率。

特性

•信号接收灵敏度提高3dB，数据传输速率提高80%

•将便携式设备的电池续航时间延长至25分钟

•更换pin-to-pin组件，无需更改PCB设计

•创建微型化设计和增加系统集成

GPS/GLONASS/COMPASS低噪声放大器

英飞凌GPS/GLONASS/COMPASS LNAs用于个人导航设备(PND)和蜂窝产品。这些LNAs是与主要oem一起开发的，以满足系统开发的简单和快速的性能标准。LNAs适用于射频性能优异、低噪声、高增益的导航应用。

特性

•提高GPS/GNSS接收机的灵敏度&Time-to-First修复(TTFF)

•即使在糟糕的条件下也能实现本地化

•增强GNSS系统的抗干扰能力。延长GNSS手机和其他便携设备的电池寿命和待机时间。

•小型应用程序

射频开关

英飞凌射频开关广泛应用于移动设备和其他电池驱动系统。射频开关具有高功率处理能力、超高线性度、优良的插入损耗和高隔离性能。该开关满足GSM/LTE/CDMA手机和数据卡交换应用中最严格的线性要求。

特性

•系统效率高，互调和杂散排放，减少了信号损耗，将信号失真降至

•即使在VSWR下也非常健壮

•微型化并集成到高填充模块

•大批量、可靠、优质的供货

•实现运营商聚合，覆盖不同的sku，提供性价比的解决方案

射频模块

英飞凌RF模块是高性能的SiGe(硅锗)LNAs，具有的噪声图(NF)和低功耗线性。这些射频模块是LTE高频段专用的LNA多路复用模块。该模块实现了SP5T开关和宽带LNA。集成射频开关允许模块从集成的LNA放大的多个频段中选择一个。这增加了设备的灵敏度。这些设备是基于LTE-Advanced和WCDMA的多模式手机的完美解决方案。

特性

•通过降低分集天线与收发芯片之间的长线路噪声，显著提高接收机性能

•即使在天线信号强度较弱的情况下，也要提高数据速率和增强连接性，或补偿长信号线造成的损失

•小型化,简化的PCB布局

天线调谐器

英飞凌天线调谐器旨在解决各种调谐概念，并允许提高数据速率。调谐器在降低功耗的同时提高了移动蜂窝设备的数据速率。

特性

•实现小而高效的天线，在要求的频段内优化电天线性能，提高微弱信号的接收能力

•限度地延长3G/4G移动设备的电池续航时间和数据速率

•增强天线形状因子的灵活性，减少高人口密度电路的空间消耗