Texas Instruments MSP430FRx 超低功耗 FRAM MCU

Texas Instruments MSP430FRx 超低功耗 FRAM 微控制器 (MCU) 包含多个器件，如嵌入式 FRAM 非易失性存储器和一个超低功耗 16 位 MSP430 CPU，以及适用于各种应用的不同外设。这些 MCU 有七种低功耗模式，最适合便携式及无线传感应用，经过优化，能延长电池使用时间。FRAM 非易失性存储器综合了 SRAM 的速度、灵活性、耐用性和闪存的稳定性及可靠性，而总功耗却更低。这些 MCU 包含多种外设，包括一个 10 位模数转换器、16 通道比较器、迟滞功能、可支持 I2C、SPI 或 UART 协议的三条增强型串行通道、内部 DMA、硬件乘法器、实时时钟、五个 16 位计时器等。这些 MCU 方便工程师快速写入，有助于节省电力，因此很适合冷链应用。 由于使用灵活的非易失性FRAM，储存应用程序和/或数据都不成问题。 使用 FRAM 可持续记录数据，写入耐用度达 1015 次，85oC 下的数据保留时间长达 10 年，可达到的可靠度。 MSP430FRx-EP 装置采用黄金焊线，作业温度范围 –55 至 +105°C ，并使用锡铅合金引线。

产品特色

嵌入式微控制器

16 位 RISC 架构，时钟频率 24MHz

宽广的供应电压范围（2V 至 3.6V）

-40°C 至 85°C 作业温度

优化的超低功耗模式

工作模式：81.4 μA/MHz：6.3μA耗电量（典型值）

待机（ LPM3 ，使用 VLO ）：1.5μA耗电量（典型值）

实时时钟（ LPM3.5 ，使用晶体）：1.5μA耗电量（典型值）

关机 (LPM4.5)：0.32μA耗电量（典型值）

超低功耗FRAM

16KB 的非易失性内存

超低功耗写入

每字 125ns 的高速写入（ 1ms 内 16KB ）

内置错误校正码 (ECC) 和内存保护单元 (MPU)

专为支持能量收集应用而设计

通用内存 = 程序 + 数据 + 储存

抗辐射，无磁性

智能数字外设

32位硬件乘法器 (MPY)

三通道内部DMA

含日历与警报功能的实时时钟

功能框图

制造商: Texas Instruments

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: VQFN-40

数据总线宽度: 16 bit

时钟频率: 16 MHz

程序存储器大小: 64 kB

数据 RAM 大小: 2 kB

ADC分辨率: 12 bit

输入/输出端数量: 33 I/O

工作电源电压: 1.8 V to 3.6 V

工作温度: - 40 C

工作温度: + 85 C

高度: 1 mm  

长度: 6 mm  

产品: MCU  

宽度: 6 mm  

模拟电源电压: 1.8 V to 3.6 V  

开发套件: MSP-FET430U48C, MSP-TS430RGZ48C, MSP-EXP430FR5969, MSP-BNDL-FR5969LCD, 430BOOST-SHARP96  

ADC通道数量: 16 Channel  

计时器/计数器数量: 5 Timer  

工厂包装数量: 250  

电源电压-: 3.6 V  

电源电压-: 1.8 V  

看门狗计时器: No Watchdog Timer  

单位重量: 104 mg