制造商:IXYS产品种类:MOSFET  RoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:Chassis Mount封装 / 箱体:SOT-227-4通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:180 ARds On-漏源导通电阻:8 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:20 V工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:600 W配置:Single通道模式:Enhancement商标名:HyperFET封装:Tube高度:9.6 mm 长度:38.23 mm 系列:IXFN180N10 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:25.42 mm 商标:IXYS CNHTS:8541500000 下降时间:65 ns HTS Code:8541290095 MXHTS:85415001 产品类型:MOSFET 上升时间:90 ns 工厂包装数量:10 子类别:MOSFETs TARIC:8541500000 典型关闭延迟时间:140 ns 典型接通延迟时间:50 ns 单位重量:30 g

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