肖特基二极管，也称肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode，简称SBD），是一种以其发明人肖特基博士（Schottky）名字命名的特殊类型半导体二极管。它是一种低功耗、超高速的半导体整流器件，具有反向恢复时间极短（可以小到几纳秒）、正向导通压降低（仅0.4V左右）、整流电流大（可达几千安培）等优良特性。这些特性使得肖特基二极管在高频整流、开关电源、微波通信等领域有着广泛的应用。

与整流桥相比，肖特基二极管和整流桥在多个方面存在显著的区别：

结构与组成

• 肖特基二极管：是单个二极管，其内部由阳极金属、二氧化硅电场消除材料、N-外延层、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成，通过金属与N型半导体材料的接触形成肖特基势垒。
• 整流桥：由四个二极管连接成一个桥式结构，可以是四个独立的二极管或一个单一的四端整流桥封装。它允许交流电在两个方向上流动，但通过二极管的排列方式将AC转换为DC。

功能特性

• 肖特基二极管：
  • 低正向电压降：相比传统PN结二极管，肖特基二极管的正向电压降更低，通常在0.2到0.3伏特之间，这意味着它在导通时的功耗更低。
  • 快速开关特性：肖特基二极管的开关速度快，反向恢复时间极短，主要用于高频应用中。
  • 反向耐压较低：肖特基二极管的反向耐压通常较低，不适用于要求高反压的电路。