TD3120R光耦的特点：
●25kV/us Min共模抑制；
●2.5A峰值输出电流驱动能力，适用于Max 1200V/120A的IGBT；
●输出级采用P-沟道MOSFET，使输出电压振幅可接近电源端；
●电源电压额定值宽至15至30V；
●开关速度快，延迟时间Max 400ns，Max 100ns的脉宽失真；
● 带滞后的欠压闭锁；
●工作温度范围：- 40 ℃ to 100℃；
●封装的类型为SOP8/DIP8；
在使用性能上能替代光宝LTV-3120,兆龙CT3120/350,夏普PC925LONSZOF,东芝LP350H/250H,冠西KTLP250/350,安华高HCPL3120/J312/3180/T250，ACPL-T350/312T，QCPL-341H,仙童FOD3120/MOCD3120,瑞萨PS9552/9505，威世VO3120，封装类型为SMD8和DIP8。
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