IRS2108STRPBF半桥驱动器，进口原装zheng品大量现货库存，有需求欢迎咨询

功能?为自举操作设计的浮动通道?可完全运行至%2B600 V?可耐受负瞬态电压，dV/dt免疫?栅极驱动电源范围为10 V至20 V?两个通道的欠压锁定?3.3 V、5 V和15 V输入逻辑兼容?防交叉传导逻辑?两个通道的匹配传播延迟?高压侧输出与HIN输入同相?低压侧输出与输入异相?逻辑和电源接地%2B/-5 V偏移?内部540 ns死区时间，可编程至5?s，带一个外部RDT电阻器（IRS21084）?较低的di/dt栅极驱动器，具有更好的抗噪性，符合RoHS标准

说明IRS2108/IRS21084是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于zui小化驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600V

制造商: Infineon

产品种类: 栅极驱动器

产品: IGBT, MOSFET Gate Drivers

类型: High-Side, Low-Side

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

激励器数量: 2 Driver

输出端数量: 2 Output

输出电流: 290 mA

电源电压-zui小: 10 V

电源电压-zui大: 20 V

上升时间: 220 ns

下降时间: 80 ns

zui小工作温度: - 40 C

zui大工作温度: %2B 125 C

特点: Synchronous

高度: 1.5 mm

长度: 5 mm

逻辑类型: CMOS, TTL

zui大关闭延迟时间: 200 ns

zui大开启延迟时间: 220 ns

湿度敏感性: Yes

工作电源电流: 1.6 mA

Pd-功率耗散: 625 mW

产品类型: Gate Drivers

传播延迟—zui大值: 300 ns

包装数量：2500

子类别: PMIC - Power Management ICs

技术: Si

宽度: 4 mm

单位重量: 540 mg

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