SI2343DS-T1-E3 集成电路IC

发布时间:2019/7/30 9:21:56

SI2343DS-T1-E3参数说明:

品牌:Vishay

产品种类: MOSFET

封装 / 箱体: SOT-23-3

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 3.1 A

Rds On-漏源导通电阻: 53 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 14 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 0.75 W


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典型特征:

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:

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SI2343DS-T1-E3 外型说明:


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