商品名称：       MMBT5551LT1G

类别：           晶体管 - 双极 (BJT) - 单

晶体管类型：           NPN

电流 - 集电极（Ic）（大值）：            600mA

电压 - 集射极击穿（大值）：    160V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（大值）：     0.2V@5mA，50mA

电流 - 集电极截止（大值）：        0.0001mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（小值）：      80@10mA，5V

工作温度：        -55°C~150°C(TJ)

封装/外壳：      TO-236-3，SC-59

ON Semiconductor（NASDAQ 代码： ON）推动能效创新，帮助客户减少总体能源使用。公司提供类型全面的产品组合，具体包括高能效电源和信号管理、逻辑、分立和定制解决方案，能帮助设计工程师解决在汽车、通信、计算、消费电子、工业、LED 照明、医疗、军事/航空航天和电源应用方面的独特设计难题。ON Semiconductor 拥有地球一流、响应迅速的可靠供应链和质量程序，在北美、欧洲和亚太地区的主要市场中运营着包括制造工厂、销售办事处及设计中心在内的网络。