Vishay 的产品组合是一个具有无与伦比的分立半导体（二极管、MOSFET 和光电元件）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。

这些组件几乎适用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天和医疗市场中所有类型的工业电子器件和设备。

 制造商

 Vishay Siliconix

 制造商零件编号

 IRF9640PBF

 描述

 MOSFET P-CH 200V 11A TO-220AB

 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况

 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

 湿气敏感性等级 （MSL）

 1（无限）

 原厂标准交货期

 18 周

 详细描述

 通孔 P 沟道 pval(2068) 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB

一般信息

   数据列表

   IRF9640,

   SiHF9640;

   Packaging

   Information;

   标准包装  

   50

   包装  

   管件

   零件状态

   在售

   类别

   分立半导体产品

   产品族

   晶体管 - FET，MOSFET - 单

   系列

   -

规格

   FET 类型

   P 沟道

   技术

   MOSFET（金属氧化物）

   漏源电压（Vdss）

   200V

   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

   11A（Tc）

   驱动电压（ Rds On， Rds On）

   10V

   不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）

   500 毫欧 @ 6.6A，10V

   不同 Id 时的 Vgs（th）（值）

   4V @ 250μA

   不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）

   44nC @ 10V

   Vgs（值）

   ±20V

   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）

   1200pF @ 25V

   FET 功能

   -

   功率耗散（值）

   125W（Tc）

   工作温度

   -55°C ~ 150°C（TJ）

   安装类型

   通孔

   供应商器件封装

   TO-220AB

   封装/外壳

   TO-220-3

文档

   产品目录页面

   1528 (CN2011-ZH

   PDF)

   HTML 规格书

   Packaging Information

   PCN 组件/产地

   SIL-099-2014-Rev-0 12/Nov/2014

图像和媒体

   产品相片

   TO-220AB

   TO-220AB

   产品目录绘图

   IR(F,L)x Series Side 1

   IR(F,L)x Series Side 2

   视频文件

   MOSFET

   Technologies for Power Conversion