STMicroelectronics- STMicroelectronics 是一家独立的化半导体公司，也是微电子应用领域中半导体解决方案开发和供应的。

凭借在硅晶和系统知识、强大的制造能力、知识产权 (IP) 组合以及战略合作伙伴等多方面无与伦比的组合，公司一直处于片上系统 (SoC) 技术领域的前沿，并使其产品在推动当今大融合趋势的过程中发挥关键作用

制造商          

STMicroelectronics

制造商零件编号      

STP26NM60N

描述  

MOSFET N-CH 600V

20A TO-220

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况  无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL）  1（无限）

原厂标准交货期       42 周

详细描述       通孔 N 沟道 pval(2068) 20A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB

一般信息

数据列表       STB,F,P26NM60N;

标准包装     50

包装           管件  

零件状态       在售

类别   分立半导体产品

产品族          晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列   MDmesh™ II

规格

FET 类型      N 沟道

技术   MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）   600V

电流

- 连续漏极（Id）（25°C 时）      20A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）       10V

不同

Id，Vgs 时的 Rds On（值）  165 毫欧 @ 10A，10V

不同

Id 时的 Vgs（th）（值）       4V @ 250μA

不同

Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）     60nC @ 10V

Vgs（值）        ±30V

不同

Vds 时的输入电容（Ciss）（值）      1800pF @ 50V

FET 功能      -

功率耗散（值）          140W（Tc）

工作温度       150°C（TJ）

安装类型       通孔

供应商器件封装       TO-220AB

封装/外壳     TO-220-3