制造商          STMicroelectronics

制造商零件编号       STP30NF20

描述   MOSFET N-CH 200V 30A TO-220

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况    无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL）   1（无限）

原厂标准交货期       38 周

详细描述       通孔 N 沟道 pval(2068) 30A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB

一般信息

数据列表       STP30NF20, STB30NF20,

STW30NF20;

标准包装      50

包装   管件  

零件状态       在售

类别   分立半导体产品

产品族          晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列   STripFET™

规格

FET 类型      N 沟道

技术   MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）   200V

电流

- 连续漏极（Id）（25°C 时）        30A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）        10V

不同

Id，Vgs 时的 Rds On（值）   75 毫欧 @ 15A，10V

不同

Id 时的 Vgs（th）（值）        4V @ 250μA

不同

Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）       38nC @ 10V

Vgs（值）        ±20V

不同

Vds 时的输入电容（Ciss）（值）       1597pF @ 25V

FET 功能      -

功率耗散（值） 125W（Tc）

工作温度       -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型       通孔

供应商器件封装       TO-220AB

封装/外壳     TO-220-3

文档

产品目录页面 1540 (CN2011-ZH PDF)

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Specifications

图像和媒体

产品相片       TO-220-3, TO-220AB

产品培训模块 STMicroelectronics ST MOSFETs