制造商 Infineon Technologies
制造商零件编号 IRF5210PBF
描述 MOSFET P-CH 100V 40A
TO-220AB
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)
详细描述 通孔
P 沟道 pval(2068) 40A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
数据列表 IRF5210PbF;
标准包装 1,000
包装 管件
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 -
FET,MOSFET - 单
系列 HEXFET®
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 180nC @ 10V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 2700pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 200W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 60 毫欧
@ 24A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
仿真模型 IRF5210PBF Saber Model
IRF5210PBF Spice Model
其它有关文件 Part Number Guide
PCN 封装 Barcode Label Update
24/Feb/2017
Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017
Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
PCN
设计/规格 LeadFrame BOM Chg
20/May/2016
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深圳市瑞祺芯科技有限公司
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推荐型号:
L78M12CDT-TR ST 18+ DPAK 数量:26500
STD20NF20 ST 17+ DPAK 数量:2501
STD30PF03LT4 ST 1745+ DPAK 数量:87000
STD3NK80Z-1 ST 1738+ IPAK 数量:17501
L293D ST 1703+ PDIP16.3Cu0.4 数量:11540
STP75NF75 ST 1739+ TO220AB 数量:58000
IRF5210PBF IR 17+ TO-220AB 数量:12000
STP30NF20 ST 1766+ TO220ABNONISOL 数量:1735
HS0038A2 VISHAY 17+ DIP-3 数量:34000
STPS1150A ST 1635+ SMA 数量:1620
SMBJ6.0CA-E3/52 VISHAY 1735+ SMB 数量:16038
TCMT1109 VISHAY 1741+ SOP-4 数量:98600
LD1117AS33TR ST 17+ SOT-223 数量:67850
ESDA5V3SC5 ST 1752+ SOT235LEADSTRANS 数量:23114
IRFB3607PBF IR 17+ TO-220 数量:12000