FF450R12ME4

ATMEGA1281-16MU

TLV70025QDDCRQ1

STM8S003F3U6TR

SWH15-28S05

STM32F429IIT6

NCP81022MNTXG

FF450R12ME4

FS32K118LAT0VLHT
FS32K144UAT0VLLT
FS32K144HAT0MLLT 
S9S12G128AMLL
FS32K142HFT0VLLT 
FS32K144HFT0MLLT
S9S12G128AMLLR
S9S12G128AMLHR

产品属性	属性值	搜索类似
制造商:	Infineon
产品种类:	IGBT 模块
RoHS:	详细信息
产品:	IGBT Silicon Modules
配置:	Dual
集电极—发射极电压 VCEO:	1200 V
集电极—射极饱和电压:	2.1 V
在25 C的连续集电极电流:	675 A
栅极—射极漏泄电流:	400 nA
Pd-功率耗散:	2250 W
工作温度:	- 40 C
工作温度:	+ 150 C
封装:	Tray
商标:	Infineon Technologies
栅极/发射极电压:	20 V
安装风格:	Chassis Mount
产品类型:	IGBT Modules
系列:	Trenchstop IGBT4 - E4
工厂包装数量:	10
子类别:	IGBTs
技术:	Si
商标名:	TRENCHSTOP EconoDUAL
零件号别名:	SP000389732 FF450R12ME4BOSA1
单位重量:	345 g

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