MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是能够对调的，他们都是在P型中构成的N型区。在多数状况下，这个两个区是一样的，即便两端对调也不会影响半导体器件的性能。这样的器件被以为是对称的。

目前在市场应用方面，的是消费类电子电源适配器产品。而MOS管的应用范畴第二的是计算机主板、NB、计算机类适配器、LCD显现器等产品，随着国情的开展计算机主板、计算机类适配器、LCD显现器对MOS管的需求有要超越消费类电子电源适配器的现象了。

第三的就属网络通讯、工业控制、汽车电子以及电力设备范畴了，这些产品关于MOS管的需求也是很大的，特别是如今汽车电子关于MOS管的需求直追消费类电子了。

下面对MOS失效的缘由总结以下六点，然后对1，2重点停止剖析、

1、雪崩失效(电压失效)，也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超越MOSFET的额定电压，并且超越到达了一定的才能从而招致MOSFET失效。

2、SOA失效(电流失效)，既超出MOSFET平安工作区惹起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积聚而招致的失效。

3、体二极管失效、在桥式、LLC等有用到体二极管停止续流的拓扑构造中，由于体二极管遭受毁坏而招致的失效。

4、谐振失效、在并联运用的过程中，栅极及电路寄生参数招致震荡惹起的失效。

5、静电失效、在秋冬时节，由于人体及设备静电而招致的器件失效。

6、栅极电压失效、由于栅极遭受异常电压尖峰，而招致栅极栅氧层失效。

雪崩失效剖析(电压失效)

到底什么是雪崩失效呢，简单来说MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在MOSFET漏源之间，招致的一种失效形式。简而言之就是由于就是MOSFET漏源极的电压超越其规则电压值并到达一定的能量限度而招致的一种常见的失效形式。