STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET

STD10NF10T4, 13 A, Vds=100 V, 3针 DPAK封装

产品详细信息
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
产品技术参数
通道类型 N
连续漏极电流 13 A
漏源电压 100 V
漏源电阻值 130 mΩ
栅阈值电压 4V
栅阈值电压 2V
栅源电压 ±20 V
封装类型 DPAK
安装类型 表面贴装
晶体管配置 单
引脚数目 3
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
功率耗散 50 W
典型输入电容值@Vds 460 pF@ 25 V
典型接通延迟时间 16 ns
宽度 6.2mm
典型栅极电荷@Vgs 15.3 nC @ 10 V
典型关断延迟时间 32 ns
每片芯片元件数目 1
工作温度 -55 °C
晶体管材料 Si
工作温度 +175 °C
高度 2.4mm
系列 STripFET
长度 6.6mm
尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm
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