STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET

STP26NM60ND, 21 A, Vds=600 V, 3针 TO-220封装

产品详细信息
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
产品技术参数
通道类型 N
连续漏极电流 21 A
漏源电压 600 V
漏源电阻值 175 mΩ
栅阈值电压 5V
栅阈值电压 3V
栅源电压 ±25 V
封装类型 TO-220
安装类型 通孔
晶体管配置 单
引脚数目 3
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
功率耗散 190 W
每片芯片元件数目 1
宽度 4.6mm
晶体管材料 Si
系列 FDmesh
典型输入电容值@Vds 1817 pF @ 100 V
工作温度 +150 °C
典型关断延迟时间 69 ns
尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm
典型栅极电荷@Vgs 54.6 nC @ 10 V
典型接通延迟时间 22 ns
长度 10.4mm
高度 15.75mm
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