SI4425DDY-T1-GE3深圳市力通伟业半导体有限公司

发布时间:2017/5/16 10:58:35

型号:SI4425DDY-T1-GE3  品牌:VISHAY   封装:SOP8   年份:16+

SI4425DDY-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC

产品信息
制造商: Vishay 包装量: 2500
封装: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 包装: Tape & Reel (TR)
类别: FET - 单路 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
参数 数值
系列 TrenchFET®
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
功率 - 值 5.7W
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 2610pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 80nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) 9.8 mOhm @ 13A, 10V
FET 功能 Standard
FET 类型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
漏源极电压 (Vdss) 30V
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公司:深圳市力通伟业半导体有限公司
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