型号：SI4435DDY-T1-GE3  品牌：VISHAY    封装：SOP8   年份：16+

Vishay Si P沟道 MOSFET SI4435DDY-T1-GE3, 8.1 A, Vds=30 V, 8针 SOIC封装 

产品详细信息
P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

产品技术参数
通道类型 P
连续漏极电流 8.1 A
漏源电压 30 V
漏源电阻值 24 mΩ
栅阈值电压 1V
栅源电压 ±20 V
封装类型 SOIC
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
晶体管配置 单
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
功率耗散 2500 mW
高度 1.5mm
典型关断延迟时间 40 ns, 45 ns
长度 5mm
尺寸 5 x 4 x 1.5mm
宽度 4mm
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si
典型接通延迟时间 10 ns, 42 ns
工作温度 -55 °C
典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V，32 nC @ 10 V
工作温度 +150 °C
典型输入电容值@Vds 1350 pF @ 15 V

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