型号：SST39VF800A-70-4C-EKE
品牌：SST
工作温度范围 0°C to + 70°C
封装类型 TSOP
针脚数 48
工作温度 0°
工作温度 +70°C
电源电压 3.6V
电源电压 2.7V
表面安装器件 表面安装
重量 0.00003
存储器类型 Flash, NOR
存储器配置 512K x 16bit
存储器容量 8Mbit
电源电压范围 2.7V to 3.6V
访问时间 70ns
接口 Parallel
接口类型 Parallel
扇区类型 一致

FLASH闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何FLASH器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0.
由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反，擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms.
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
l NOR的读速度比NAND稍快一些。
2 NAND的写入速度比NOR快很多。
3 NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
4 大多数写入操作需要先进行擦除操作。

5 NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

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