TVS二极管与齐纳二极管：与传统的齐纳二极管相比，TVS瞬态抑制二极管P/N 结面积更大，这一结构上的改进使TVS具有更强的高压承受能力，同时也降低了电压截止率，因而对于保护手持设备低工作电压回路的安全具有更好效果。

   TVS二极管与陶瓷电容：很多设计人员愿意采用表面贴装的陶瓷电容作ESD 保护，不但便宜而且设计简便，但这类器件对高压的承受力却比较弱。5kV 的冲击会造成约10%陶瓷电容失效，到10kV 时，损坏率达到60%，而TVS二极管可以承受15kV 电压。在手持设备的使用过程中，由于与人体频繁接触，各个端口必须至少能够承受8kV 接触冲击(IEC61000-4-2 标准)，可见使用TVS二极管可以有效保证最终产品的合格率。

   TVS二极管与MLV：多层金属氧化物结构器件(MLV)也可以进行有效的瞬时高压冲击抑制，此类器件具有非线性电压-电流(阻抗表现)关系，截止电压可达最初中止电压的2～3 倍，这种特性适合用于对电压不太敏感的线路和器件的保护，如电源回路。而TVS瞬态抑制二极管具有更好的电压截止因子，同时还具有较低的电容，这一点对于手持设备的高频端口非常重要，因为过高的电容会影响数据传输，造成失真或是降级。

   TVS瞬态抑制二极管的各种表面封装均适合流水线装配的要求，而且芯片结构便于集成其它的功能，如EMI 和RFI过滤保护等，可有效降低器件成本，优化整体设计。

   另一个不能忽略的特点是二极管可以很方便地与其它器件集成在一个芯片上，现有很多将EMI 过滤和RFI 防护等功能与TVS 集成在一起的器件，不但减少设计所采用的器件数目降低成本，而且也避免PCB板上布线时易诱发的伴生自感。