TVS管与常规硅稳压二极管原理相同，利用PN结反向击穿“雪崩效应”稳定电压。

   TVS管的电气特性由晶片基本性能、P-N结面积和掺杂浓度决定的。与稳压管比，TVS管在结构上有如下特点：

   (1) 有较大的结面积，以提高通流能力。

   (2) 以钨钼等特殊材料制成散热片，利于元件吸收较大的瞬态功率

   (3) 寄生电容较大，高频使用受限制，或需串联其他元件解决。