AO3401A使用先进的海沟技术，提供的RDS(上)、低门和操作门电压2.5 v。进程标准的亚微米，30V P-沟道MOSFET 封装：SOT23  模具材料与硅填充环氧树脂
水分水平1  适用于作为负荷开关或其他通用的应用程序。

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