【瞬态抑制二极管TVS】

瞬态电压抑制器二极管（也称为瞬态抑制二极管——TVS Diode）专门用于保护电子电路，以防受到 瞬变和过压的危害，例如：EFT（电气快速瞬变）以及ESD（静电放电）。瞬态抑制二极管是采用硅雪崩技术的器件，因其具有反应时间快（低钳位电压）、电容值较低和漏电流低等特点而被选用。瞬态抑制二极管有单向（单极）和双向（双极）二极管电路配置可供选择。

TVS二极管的选用：

1.确定被保护电路的直流或连续工作电压，电路的额定标准电压和可承受电压。

2.TVS的额定反向关断电压VWM应大于或等于被保护电路的工作电压。若选用的VWM太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。

3.TVS的反向箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。

4.对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。

5.根据用途选用TVS的极性及封装结构。交流电路选用双极性TVS较为合理;多线保护选用TVS阵列更为有利。