IRF830PBF

发布时间:2015/4/7 10:54:19

产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 500 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 4.5 A
导通电阻: 1.5 Ohms
配置: Single
工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Tube
商标: Vishay / Siliconix
下降时间: 16 ns
工作温度: - 55 C
功率耗散: 74 W
上升时间: 16 ns
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 42 ns
零件号别名: SIHF840-E3

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