APT65GP60B2G

发布时间:2015/9/5 13:37:55

标准包装: 30
类别: 分立式导体产品
家庭: IGBT - 单路
系列: POWER MOS 7®
包装: 管件
IGBT 类型: PT
电压 - 集射极击穿(值): 600V
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on): 2.7V @ 15V,65A
电流 - 集电极 (Ic)(值): 100A
Current - Collector Pulsed (Icm): 250A
功率 - 值: 833W
Switching Energy: 605μJ (开), 896μJ (关)
输入类型: 标准
Gate Charge: 210nC
Td (on/off) A 25°C: 30ns/91ns
Test Condition: 400V, 65A, 5 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr): -
封装/外壳: TO-247-3 变式
安装类型: 通孔
供应商器件封装: *

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