标准包装: | 30 |
类别: | 分立式导体产品 |
家庭: | IGBT - 单路 |
系列: | POWER MOS 7® |
包装: | 管件 |
IGBT 类型: | PT |
电压 - 集射极击穿(值): | 600V |
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on): | 2.7V @ 15V,65A |
电流 - 集电极 (Ic)(值): | 100A |
Current - Collector Pulsed (Icm): | 250A |
功率 - 值: | 833W |
Switching Energy: | 605μJ (开), 896μJ (关) |
输入类型: | 标准 |
Gate Charge: | 210nC |
Td (on/off) A 25°C: | 30ns/91ns |
Test Condition: | 400V, 65A, 5 欧姆, 15V |
反向恢复时间 (trr): | - |
封装/外壳: | TO-247-3 变式 |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | * |