FQPF8N80C MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

发布时间:2015/8/3 15:26:14

晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 800 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 8 A
导通电阻: 1.55 Ohms
配置: Single
工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220F
封装: Tube
商标: Fairchild Semiconductor
下降时间: 70 ns
正向跨导 - 值: 5.6 S
工作温度: - 55 C
功率耗散: 59 W
上升时间: 110 ns
系列: FQPF8N80C
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 65 ns
零件号别名: FQPF8N80C_NL
单位重量: 2.270 g

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