海古德公司由一群拥有相关专利、致力于中国氮化铝（AlN）陶瓷及其元器件生产和研发的有识之士，于在北京中关村科技园通州金桥产业园区成立。公司的核心产品氮化铝（AlN）陶瓷基片是国家鼓励和重点支持的朝阳产业，获得过国家创新基金的支持，为国家火炬计划重点项目。氮化铝（AlN）陶瓷基片具有优良的热传导性、可靠的电绝缘性、低的介电常数和介质损耗，是新一代LED照明、大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件理想的散热和封装材料。 公司是集生产和研发于一体的高新技术企业。成立初期，企业斥资2500万人民币，引进国外关键设备，形成年产氮化铝（AlN）基板约1000平方米的自动化生产线，并于2010年8月正式量产销售。随着市场需求的不断扩大，海古德公司于2011年10月起，选址无锡再建新生产线，年产能力预计达5000平米，配有完善的基板相关各类性能指标测试能力。 我司生产的氮化铝基板厚度涵盖0.38mm（15mil）至6mm，面积可达127mm*177.8mm(5”*7”)。提供即烧型，研磨型和抛光型三大类产品。同时也可以根据客户要求提供激光划刻和钻孔等增值服务。 至此，海古德已形成无锡（总部）和北京（研发中心）的战略格局，总投资逾亿万人民币，员工逾百人，其中博士