意法半导体（ST）先进的1200V IGBT，可提升太阳能逆变器耐用性和能效

意法半导体的1200V绝缘闸极双极性晶体管（IGBT，Insulated-Gate Bipolar Transistors）藉助第二代沟槽式场截止（trench-gate field-stop）高速技术提升太阳能逆变器、焊机（welder）、不间断电源和功率因子校正（PFC，Power-Factor Correction）转换器的耐用性和能效。

意法半导体的新H系列1200V IGBT降低多达15%的关机损耗和导通损耗。饱和电压（Vce（sat））减少至2.1V （在标准集极电流和100°C下的典型值），这能确保总体损耗降至，在20kHz开关频率下更高效地工作。

此外，新款1200V IGBT提供整合高速恢复反平行二极管的选项，以协助开发人员优化硬开关（hard-switching）电路的性能，使用飞轮二极管（freewheel diode）大幅降低开关电路的能源损耗。

新款IGBT拥有极强的耐用性，当实际电流是标准电流的四倍时无锁定（latch-up-free）效应，及仅5μs的短路时间（在150°C 初始结温时）。工作结温扩大到175°C，有助于延长产品的使用寿命，简单化系统散热设计。宽安全工作范围（SOA，Safe Operating Area）则有效提升大功率应用的工作可靠性。

优异的防电磁干扰（EMI，electromagnetic interference）是新产品的另一大优势，这归功于新系列产品在开关过程中取得近乎理想的波形，令竞争产品望尘莫及。Vce（sat）的正温度系数，结合组件之间参数分布紧密，使其在大功率应用中能更安全的平行工作。

意法半导体的H系列IGBT现已量产，采用TO-247封装，共有15A、25A和40A三个型号。