中国颗55纳米智能卡芯片问世

中芯国际集成电路制造有限公司与北京中电华大电子设计有限责任公司（“华大电子”）共同宣布，华大电子推出中国颗55纳米智能卡芯片，该芯片采用中芯国际55纳米低功耗（LL）嵌入式闪存（eFlash）平台，具有尺寸小、功耗低、性能高的特点，目前已实现量产供货，其优良性能得到客户的广泛认可。

中芯国际的55纳米低功耗嵌入式闪存平台，可为智能卡芯片客户提供一个兼具高性能和低成本的解决方案。该平台具有完全的逻辑兼容性，所有1.2V逻辑库IP皆可用于此嵌入式平台；采用逻辑电压更低的1.2V器件，可在上降低芯片功耗，提升产品性能；后段采用铜制程，由于铜的电迁移性可造成电阻性的改良，使现有设计能够采用较高的电流密度，造就更佳的性能与可靠性；芯片面积有大幅缩减，更小的尺寸使大型闪存应用成为可能；随着闪存单元的持续缩减，芯片面积将进一步优化，实现成本效益。目前，该技术平台已通过产品可靠性测试，能够满足标准智能卡的应用需求。基于此平台，华大电子成功地将中国款基于55纳米先进工艺的智能卡芯片推向市场。

“华大电子始终致力于对新技术和新应用的探索，包括基于55纳米工艺的模拟电路设计技术和系统设计技术，以及12英寸晶圆测试和减划技术等，并将研究成果应用于产品开发，快速实现新产品的上市。”华大电子总经理董浩然表示，“此次与中芯国际在55纳米智能卡芯片方面的成功合作，进一步巩固了华大电子在国内该领域的领导地位，同时让我们看到中芯国际在推动先进工艺发展方面所作的努力，其稳定和完整的工艺平台给我们留下了深刻的印象，相信通过我们共同的努力可以为客户提供低成本、低功耗、高可靠性和耐久性的产品。”