制造商零件编号： 2N7002DW-7-F

制造商: Diodes Incorporated

说明： MOSFET 60V 200mW

制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET

RoHS: 符合RoHS 详细信息

商标: Diodes Incorporated

Id-连续漏极电流: 115 mA

Vds-漏源极击穿电压: 70 V

Rds On-漏源导通电阻: 4.4 Ohms

晶体管极性: N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 200 mW

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-363-6

封装: Reel

通道模式: Enhancement

配置: Dual

正向跨导 - 值: 0.08 S

工作温度: - 55 C

系列: 2N7002D

工厂包装数量: 3000

典型关闭延迟时间: 11 ns