类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管

集电极-发射极电压VCEO：15V

集电极-基极电压VCBO:20V

发射极-基极电压VEBO:2.5V

集电极直流电流IC:120mA

总耗散功率(TA=25℃)Ptot:500mW

工作结温Tj:150℃

贮存温度Tstg:-65~150℃

封装形式：SOT-23

功率特性：中功率

极性：NPN型

结构：扩散型

材料：硅(Si)

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