【原装】三菱IPM模块PM75DSA120【现货优势】

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【原装正品】供应三菱IPM模块PM75DSA120【现货优势】


【原装正品】供应三菱IPM模块PM75DSA120【现货优势】


IPM的基本工作特性:
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成,
其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。
IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)

和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统,中大功率的IPM使用陶瓷绝缘。

IPM内部功能机制:
IPM内置的驱动和保护电路使系统硬件电路简单、可靠,缩短了系统开发时间,

也提高了故障下的自保护能力。与普通的IGBT模块相比,
IPM在系统性能及可靠性方面都有进一步的提高

日本三菱智能IPM模块IPM=IGBT+BASEDRIVER+保护
日本三菱1单元600V 智能IPM系列:
PM75EHS060 PM100EHS060 PM600HVA200 PM600HHA060 PM800HSA060
PM900HSA060 PM900HSAZ060
日本三菱1单元1200V 智能IPM系列
PM300HHA120 PM400HSA120 PM600HSA120 PM800HSA120 PM1200HAF450
PM1200HCA330 PM1200HCE330-1 PM1200HCF330 PM1800HCE1700
日本三菱2单元600V 智能IPM系列:
PM100DHA060 PM100DKA060 PM150DKA060 PM150DHA060 PM200DSA060
PM200DKA060 PM200DHA060 PM300DSA060 PM300DHA060 PM400DHA060
OM400DSA060 PM400DVA060 PM600DVA060 PM600DSA060 PM800DLA060
PM900DLA060
日本三菱2单元1200V 智能IPM系列:
PM75DHA120 PM75DSA120 PM100DSA120 PM100DHA120 PM150DSA120
PM150DHA120 PM200DSA120 PM200DVA120 PM200DHA120 PM300DSA120
PM300DVA120 PM400DJA120 PM600DJA120


保护电路可以实现控制电压欠压保护、过热保护、过流保护和短路保护。如果IPM模块中有一种保护电路动作,IGBT栅极驱动单元就会关断门极电流并输出一个故障信号(FO)。各种保护功能具体如下:
(1)控制电压欠压保护(UV):IPM使用单一的+15V供电,若供电电压低于12.5V,且时间超过toff=10ms,发生欠压保护,封锁门极驱动电路,输出故障信号。
(2)过温保护(OT):在靠近IGBT芯片的绝缘基板上安装了一个温度传感器,当IPM温度传感器测出其基板的温度超过温度值时,发生过温保护,封锁门极驱动电路,输出故障信号。
(3)过流保护(OC):若流过IGBT的电流值超过过流动作电流,且时间超过toff,则发生过流保护,封锁门极驱动电路,输出故障信号。为避免发生过大的di/dt,大多数IPM采用两级关断模式。其中,VG为内部门极驱动电压,ISC为短路电流值,IOC为过流电流值,IC为集电极电流,IFO为故障输出电流。
(4)短路保护(SC):若负载发生短路或控制系统故障导致短路,流过IGBT的电流值超过短路动作电流,则立刻发生短路保护,封锁门极驱动电路,输出故障信号。跟过流保护一样,为避免发生过大的di/dt,大多数IPM采用两级关断模式。为缩短过流保护的电流检测和故障动作间的响应时间,IPM内部使用实时电流控制电路(RTC),使响应时间小于100ns,从而有效抑制了电流和功率峰值,提高了保护效果。
当IPM发生UV、OC、OT、SC中任一故障时,其故障输出信号持续时间tFO为1.8ms(SC持续时间会长一些),此时间内IPM会封锁门极驱动,关断IPM;故障输出信号持续时间结束后,IPM内部自动复位,门极驱动通道开放。
可以看出,器件自身产生的故障信号是非保持性的,如果tFO结束后故障源仍旧没有排除,IPM就会重复自动保护的过程,反复动作。过流、短路、过热保护动作都是非常恶劣的运行状况,应避免其反复动作,因此仅靠IPM内部保护电路还不能完全实现器件的自我保护。要使系统真正安全、可靠运行,需要辅助的外围保护电路。
2IPM驱动电路的设计

驱动电路是IPM主电路和控制电路之间的接口,良好的驱动电路设计对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要意义。
IGBT的分立驱动电路的设计
IGBT的驱动设计问题亦即MOSFET的驱动设计问题,设计时应注意以下几点:①IGBT栅极耐压一般在±20V左右,因此驱动电路输出端要给栅极加电压保护,通常的做法是在栅极并联稳压二极管或者电阻。前者的缺陷是将增加等效输入电容Cin,从而影响开关速度,后者的缺陷是将减小输入阻抗,增大驱动电流,使用时应根据需要取舍。②尽管IGBT所需驱动功率很小,但由于MOSFET存在输入电容Cin,开关过程中需要对电容充放电,因此驱动电路的输出电流应足够大,这一点设计者往往忽略。假定开通驱动时,在上升时间tr内线性地对MOSFET输入电容Cin充电,则驱动电流为Igt=CinUgs/tr,其中可取tr=2。2RCin,R为输入回路电阻。③为可靠关闭IGBT,防止擎住现象,要给栅极加一负偏压,因此最好采用双电源供电。
IGBT集成式驱动电路


型号/规格

PM75DSA120

品牌/商标

MITSUBISHI(三菱)

环保类别

无铅环保型