*现货供应 N沟道场效应管FDN337N
地区：广东 东莞
认证：
无
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| 技术/目录信息 | FDN337N |
| 销售商 | Fairchild Semiconductor (VA) |
| 分类 | 分离式半导体产品 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| FET 型 | N 沟道 |
| 漏*至源*电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 2.2A |
| 开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 在 2.2A、4.5V 时为 65 毫欧 |
| 输入电容(Ciss) @ Vds | 300pF @ 10V |
| 功率 - *大 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 (*) |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | SSOT-3 |
| 无铅状态 | Lead Free |
| ROHS状态 | RoHS Compliant |
| 其它名称 | FDN337N FDN337N FDN337N* ND FDN337N*ND FDN337N* |
FAIRCHILD/*童
FDN337N SOT-23
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
CHOP/斩波、限幅
SMD(SO)/表面封装
5（V）
2（V）
10（μS）
1（pF）
20（dB）
2（mA）
3（mW）
