供应TIP32C,硅PNP功率晶体管

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硅PNP管,100伏,3安培,40瓦,3兆赫;TIP32是负极输出管,电压为0V或5V的,B极0或5V是触发电压由外接单片机或温控电路提供;TIP32C是一种大功率PNP型三极管,UCEO=100V,IC=3A(持续)或5A(峰值),耗散功率PD=40W;TIP32C是TO-220封装双极型晶体管;TIP32C是硅PNP管,100伏3安培40瓦3兆赫;

  • 型号/规格

    TIP32C

  • 封装形式
  • TO-220
  • 环保类别

    无铅环保型

  • 安装方式

    直插式

  • 包装方式

    散装

硅PNP功率晶体管TIP32C

TRANS PNP EPITAX -3A-100V TO-220


晶体管类型 : PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : 3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : 100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) : 1.2V @ 375mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大) : 200µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) : 10 @ 3A, 4V
功率 - 最大 : 2W
频率 - 转换 : 3MHz
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-220-3
供应商设备封装 : TO-220
包装 : 散装


TIP31C电参数(Ta=25℃)(封装形式:TO-220)
 
参数符号
符  号  说  明
最小值
典型值
最大值
单  位
测  试  条  件
BVCEO(sus)ICEO
ICESIEBOhFE
 
VCE(sat) VBE(on)fT
集电极—发射极维持电压*
集电极—发射极截止电流集电极—发射极截止电流发射极—基极截止电流直流电流增益*
 
集电极—发射极饱和电压*基极—发射极导通电压*特征频率
100
 
25
10
 
3.0
 
 
0.3
200
1
 
50
1.2
1.8
V
mA
µA
mA
 
V V
MHz
IC=30mA,IB=0
VCE=60V,IB=0
VCE=100V,VEB=0, VEB=5V,IC=0
VCE=4V,IC=1A VCE=4V,IC=3A IC=3A,IB=375mA VCE=4V,IC=3A VCE=10V,IC=0.5A,f=1MHz
 
*脉冲测试:脉宽≤300µs,占空比≤2%。


型号/规格

TIP32C

品牌/商标

-

封装形式

TO-220

环保类别

普通型

安装方式

直插式

包装方式

散装