场效应管 AP4800M ,AP4800GM,4800M

产品型号:A4800M

源漏极间雪崩电压VDSS(V):25

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.018

最大漏极电流Id(on)(A):9A

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150

描述:25V 9A功率MOSFET

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产品型号:AO4918

源漏极间雪崩电压VDSS(V):30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0145

最大漏极电流Id(on)(A):9.3A

通道极性:双N沟道

封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150

描述:30V 9.3A功率MOSFET

型号/规格

AP4800M

品牌/商标

AP

封装形式

SOP-8

环保类别

普通型

安装方式

贴片式

包装方式

3000/盘

功率特征

小功率

供应 场效应管 AP4800M ,AP4800GM,4800M