供应 场效应管 TK7A55D,K7A55D,TK7A55

产品型号:TK7A55D

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):550

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):7

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.25 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4.4

功率PD(W):35

极间电容Ciss(PF):700

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：3.6

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):162

温度(℃): -55 ~150

描述:550V,7A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ)

(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)