供应 场效应管 BSC016N03,016N03LS,BSC016N03LSG

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BSC016N03LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,30V,100A,0.0016Ω

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V
Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A
Pulsed drain current IDM TC=25℃ 400 A
Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25? 290 mJ
Power dissipation Ptot TC=25℃ 125 W
Gate source voltage VGS   ±20 V
Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250µA 2.2 V
Drain-source on-state resistance RDS(on) VGS=10V, ID=30A 1.6 m?
Input capacitance Ciss VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz 7600 PF
Transconductance gfs |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A 230 S


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型号/规格

BSC016N03LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,30V,100A.

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

5000/盘