供应 场效应管 BSZ050N03LSG,050N03L,BSZ050N03

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BSZ050N03LSG,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,40A,0.005Ω

 

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V
Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 40 A
Pulsed drain current IDM TC=25℃ 160 A
Power dissipation Ptot TC=25℃ 50 W
Gate source voltage VGS   ±20 V
Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250µA 2.2 V
Avalanche energy, single pulse EAS ID=20A, RGS=25 70 mJ
Drain-source on-state resistance RDS(on) VGS=10V, ID=20A 5 m
Input capacitance Ciss VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz 2800 PF
Transconductance gfs |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A 76 S


 

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型号/规格

BSZ050N03LSG,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,40A,0.005Ω

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

5000/盘