供应 场效应管 BSZ0909NS,0909NS

地区:广东 深圳
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BSZ0909NS,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,34V,36A,0.012Ω

 

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 34 V
Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 36 A
Pulsed drain current IDM TC=25℃ 144 A
Gate source voltage VGS   ±20 V
Avalanche energy, single pulse EAS ID=20A, RGS=25 9 mJ
Power dissipation Ptot TC=25℃ 25 W
Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250µA 2 V
Drain-source on-state resistance RDS(on) VGS=10V, ID=20A 12 m
Transconductance gfs |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A 47 S
Input capacitance Ciss VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz 975 PF

型号/规格

BSZ0909NS,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,34V,36A,0.012Ω

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

5000/盘

功率特征