供应5MM直插LED发光管 3MM发光管

地区:广东 深圳
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深圳市荣轩电子商行

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红外线light emitting diode。

主要以gaas系列材料发展为主,通常以lpe液相磊晶法的方法制作,发光波长从850~940不等。

gap 磷化镓。

磷化镓,是Ⅲ-Ⅴ族(三五族)元素化合的化合物。gap是一种间接迁移型半导体,具有低电流、高效率的发光特性,可发光范围函盖红色至黄绿色,为led主要使用材料之一。

gan 氮化镓。

氮化镓,是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物。gan使movpe制作技术,可制作高亮度纯蓝光led及纯绿光led,更可应用于蓝光、绿光雷射二极管之制作。movpe虽已是一成熟的磊晶制作技术,但以此技术制作gan蓝光led其中仍须相当的专业知识、经验和技巧

alingap 磷化铝铟镓。

alingap此材料是近年来用在高亮度led之制造上较新的材料,使用movpe磊晶法制程。目前世界上仅有三家厂商供应此产品的公司,即美国hp、日本toshiba、台湾国联光电。

algaas 砷化铝镓。

为gaas和alas的混晶。algaas适合于制造高亮度红光及红外线led,主要以lpe磊晶法量产,但因需制作algaas基板,技术难度高。

反向粘着型薄芯片led reverse mounting type 薄芯片led。

此种芯片可粘着在穿式印刷电路板上,减少led所占的厚度。主要可用作可携式按键之背光源。
 
 

 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 



 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


74HC02D
LM1084IT-3.3
74LCX244
74HC175
MC34119
14012B
74HCT244D
ET4334M
SN7407N
74LCX373
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TPS2223A
74HC573D
7C01F
SFHG42PS101
SFH942PS101
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PIC16F84A-20I/P
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P50N03LD
23D14
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10358
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LM319M
KA9258D
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LP2975AIMM-5.0
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LM810M3-3.08
LM385M3-2.5
LMV721M5/ NOPB
LM60BIM3
LP3470M5-3.08
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LM809M3-4.38
LM3411AM5-3.3
LP3470IM5-4.0
LP3985IM5-2.3
LM4041DIP3-1.2
LM809M3-3.08
LP8358MF-1.2
LM2703MF-ADG
LM431AIBP
LP324M/NOPB
LM6624MF
LM810M3-4.00
LM3500TL-16
LM4120IM5-3.3
LM810M3-4.38
LP2985AIM5-2.8
LP2981AIM5-2.5
LMV431AIM5
LMV7219M7
LMV331M7/NOPB
LM2703MF-ADJ
LMV2011MF
LP3470IM5-4.63
LM809M3-4.00
LMV1032UP-25
LM3475MF/NOPB
LP3965EMP-1.8
LP3984IMF-1.8
LMS5214IMG-3.0
LMV721M5
LP3985IM5-2.8
LM2731YMF/NOPB
LM2664M6
LM3722IM5-3.08
LM431BIM3
LMV431BIMF
MIC5205-5.0BM5
MIC5205-4.0BM5
MIC5219-3.6BM5
MIC5205-3.6BM5
LM1117DT-3.3
LM1117DT-1.8
LM2585T-12
LM341T-5.0
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型号/规格

5MM长脚红绿共阴 红绿共阳

品牌/商标

国产