无锡固电ISC 供应三极管2SA980

地区:江苏 无锡
认证:

无锡固电半导体股份有限公司

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DESCRIPTION                

·High Power Dissipation-

: PC= 80W(Max.)@TC=25

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= -100V(Min.)

·Complement to Type 2SC2260

 

 

APPLICATIONS

·Designed for general purpose applications.

 

 

Absolute maximum ratings(Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage

-100

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

-100

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

-6

V

IC

Collector Current-Continuous  

-8

A

IB

Base Current-Continuous  

-3

A

PC

Collector Power Dissipation

@TC=25

80

W

Tj

Junction Temperature

150

Tstg

Storage Temperature

-65~150

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Tj=25unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

V(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC= -50mA; IB= 0

-100

 

 

V

VCE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= -3A; IB= -0.3A

 

 

-1.5

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= -100V; IE= 0

 

 

-1.0

mA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= -6V; IC= 0

 

 

-1.0

mA

hFE

DC Current Gain

IC= -3A; VCE= -4V

30

 

 

 

fT

Current-Gain—Bandwidth Product

IE= 0.5A; VCE= -12V

 

20

 

MHz

Switching times

tr

Rise Time

IC= -3A ,RL= 4Ω, VCC=-12V

IB1= -0.2A; IB2= 0.1A

 

0.85

 

μs

tstg

Storage Time

 

2.0

 

μs

tf

Fall Time

 

0.3

 

μs

 

是否提供加工定制

品牌/商标

ISC

型号/规格

2SA980

应用范围

放大

材料

硅(Si)

极性

PNP型

结构

平面型

封装形式

直插型

封装材料

金属封装