供应ST意法 STF28NM50N 场效应管

ST意法  STF28NM50N  场效应管

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

 技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:21 A

Rds On-漏源导通电阻:158 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:50 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

Pd-功率耗散:35 W

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:N-channel MDmesh 

晶体管类型:1 N-Channel

 商标:STMicroelectronics 

下降时间:52 ns 

产品类型:MOSFET 

上升时间:19 ns

 工厂包装数量:1000 

子类别:MOSFETs

 典型关闭延迟时间:62 ns 

典型接通延迟时间:13.6 ns 

单位重量:330 mg

STF28NM50N  场效应管

特征

■100％雪崩测试

■低输入电容和栅极电荷

■低栅极输入电阻

应用

■切换应用程序

描述

这些器件是N沟道功率MOSFET

使用第二代开发

MDmesh™技术。 这个革命的力量

MOSFET与垂直结构相关联

公司的带钢布局产生世界上的一个

的导通电阻和栅极电荷。 它是

因此适合要求最高的高端

效率转换器。

配置:Single

Pd-功率耗散:35 W

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:N-channel MDmesh

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:52 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:19 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:62 ns

典型接通延迟时间:13.6 ns

STF28NM50N  场效应管STF28NM50N  场效应管