IR IRF640NPBF MOS场效应管

地区:广东 深圳
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IR IRF640NPBF  MOS场效应管

数据列表 IRF640N(S,L)PbF;

标准包装  50

零件状态  在售

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列  HEXFET®

英飞凌  IRF640NPBF  晶体效应管 IR英飞凌 IRF640NPBF  MOS管  场效应管  晶体管 MOSFET

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)18A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)67nC

电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs10V

Vgs(最大值)±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1160pF

电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值)150W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)150 毫欧 @ 11A,10V

工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型  通孔

供应商器件封装TO-220AB

封装/外壳TO-220-3

IR IRF640NPBF   晶体管 - FET,MOSFET - 单 

IR英飞凌 IRF640NPBF  MOS管  场效应管  晶体管 MOSFET

描述

VDSS = 200V

RDS(on)=0.15Ω

ID = 18A

小号

d

G

?先进的工艺技术

?动态dv / dt额定值

? 175°C工作温度

?快速切换

?完全雪崩评级

?易于并联

?简单的驱动要求

D2PAK

IRF640NSPbF

TO-220AB

IRF640NPbF

TO-262

IRF640NLPbF

IRF640NPbF

IRF640NSPbF

IRF640NLPbF

第五代HEXFET®功率MOSFET

国际整流器利用先进的处理

技术来实现极低的导通电阻

硅面积。这个好处,结合快速切换

高速和坚固耐用的设备设计,HEXFET Power

MOSFET是众所周知的,为设计人员提供了一个

非常有效和可靠的设备在广泛使用

各种应用程序。

TO-220封装是所有人都普遍喜欢的

在功耗级别的商用工业应用

到大约50瓦。低热阻和

TO-220的低封装成本有助于其广泛应用

整个行业的接受度。

D2Pak是一款表面贴装功率封装,

适应HEX-4的尺寸。它提供了

最高的功率和的电阻

在任何现有的表面贴装封装中。该

D2Pak由于其适用于高电流应用

内部连接电阻低,可以耗散至多

2.0W在典型的表面安装应用中。

通孔版本(IRF640NL)适用于低配置文件

应用。


IR英飞凌 IRF640NPBF  MOS管  场效应管  晶体管 MOSFET

型号/规格

IRF640NPBF

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

盒带编带包装