MMBT5551LT1G 品牌ON 封装SOT23

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MMBT5551LT1G 品牌ON 封装SOT23

产品目录绘图:Transistor SOT-23-3 Pkg

标准包装:3000

系列:-

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大):600mA

电压 - 集电极发射极击穿(最大):160V

Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大):100nA

在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):80 @ 10mA,5V

功率 - 最大:225mW

频率 - 转换:-

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)

包装:标准包装

产品目录页面:1560 (CN2011-ZH PDF)

其它名称:MMBT5551LT1GOSDKR


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型号/规格

MMBT5551LT1G

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

SOT23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特性

超大功率

频率特性

超高频

极性

NPN型