IRFB3206PBF 原厂原装，代理渠道

分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
3 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)
4V @ 150μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
170 nC @ 10 V
Vgs
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
6540 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IRFB3206

型号/规格

IRFB3206PBF

品牌/商标

Infineon Technologies

封装

TO-220-3

批号

21+

供应IRFB3206PBF 原厂原装，代理渠道