供应晶体管 IXTH13N80 MOSFET

地区:广东 深圳
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IXTH13N80介绍:

描述 MOSFET N-CH 800V 13A TO-247

详细描述 通孔 N 沟道 800V 13A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 IXYS

系列 MegaMOS™

包装     管件

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 800V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 800 毫欧 @ 500mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4500pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 300W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-247(IXTH)

封装/外壳 TO-247-3

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;

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以金氧半场效晶体管(MOSFET)的命名来看,事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET跟英文单字“metal(金属)”的第一个字母M,在当下大部分同类的组件里是不存在的。

IXYS Corporation拥有种类齐全的电源管理半导体产品,包括全系列功率MOSFET、IGBT、双极和混合信号IC解决方案,为广泛的电源系统应用节省能源和成本。


类别

分立半导体产品

产品族

晶体管 - FET,MOSFET - 单

封装

TO-247-3

品牌

IXYS