供应晶体管 FDMC8854 FET,MOSFET

地区:广东 深圳
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FDMC8854介绍:

描述 MOSFET N-CH 30V 15A POWER33

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

制造商标准提前期 6 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 15A(Tc) 2W(Ta),41W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench®

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 5.7 毫欧 @ 15A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 57nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3405pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 2W(Ta),41W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-MLP(3.3x3.3)

封装/外壳 8-PowerWDFN

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;

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由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件。

类别

分立半导体产品

产品族

晶体管 - FET,MOSFET - 单

封装

8-PowerWDFN

品牌

ON Semiconductor