IGBT模块 功率全系列FF200R12KS4 1200V

产品种类:IGBT 模块
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
集电极—射极饱和电压:3.2 V
在25 C的连续集电极电流:275 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
Pd-功率耗散:1.4 kW
封装 / 箱体:62 mm
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 125 C
封装:Tray
高度:30.5 mm
长度:106.4 mm
宽度:61.4 mm
商标:Infineon Technologies
安装风格:Screw
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
产品类型:IGBT Modules
工厂包装数量:10
子类别:IGBTs
零件号别名:FF200R12KS4HOSA1 SP

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管.

是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压

而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。