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产品属性
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产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.6 V
栅极/发射极电压: - 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流: 120 A
Pd-功率耗散: 349 W
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
系列: FGH60T65SHD
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 30
子类别: IGBTs
零件号别名: FGH60T65SHD_F155
单位重量: 6.390 g
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安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.6 V
栅极/发射极电压: - 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流: 120 A
Pd-功率耗散: 349 W
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
系列: FGH60T65SHD
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 30
子类别: IGBTs
零件号别名: FGH60T65SHD_F155
单位重量: 6.390 g
FGH60T65SHD-F155 FGH60T65SHD-F155 FGH60T65SHD-F155 FGH60T65SHD-F155
主营范围:ic公司经营的主要优势品牌有:AD、MAXIM、NXP、TI、ST、ATMEL、IR等。并兼营各系列二、三极管、电容电阻、模块、开关,继电器及其它电子元件,提供的配单服务,可为您寻找**级、工业级、偏冷门、已停产的各系列IC器件。产品的应用领域涉及:IT、通信、遥控、控制系统、汽车、机械、仪表、家电控制、军用、航空、和卫星等行业。
FGH60T65SHD-F155
ON(安森美)
集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V
栅极/发射极最大电压:- 20 V, 20 V
最大工作温度:+ 175 C