IRF3205 优势代理IR系列*原装三端稳压管MOS管场效应管元器件

概述：IR的HEXFET功率场效应管IRF3205采用*的工艺技术制造，具有*低的导通阻*。IRF3205这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF3205成为*其**、应用范围*广的器件。
TO-220封装的IRF3205普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和*的TO-220封装，使IRF3205得到业内的普遍*。D2Pak封装的IRF3205适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率*高，导通阻*。TO-262是IRF3205的通孔安装版，适合较低端的应用。

基本参数：晶体管*性:N Channel；开态电阻, Rds(on):8mohm；封装类型:TO-220AB TO-262 D2Pak；晶体管类型:MOSFET；
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V；电压, Vds 典型值:55V；电流, Id 连续:110A；Qg T*： 97.3 nC；FET*性: N型沟道。